题 目：用于高分辨率量子点发光二极管的直接光刻技术
主讲人：向超宇 研究员
时 间：6月12日（周五）10:00-12:00
地点：木竹博物馆报告厅
主讲人简介：
向超宇研究员，美国佛罗里达大学博士，中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员，浙江省杰出青年，国际信息显示专业期刊的编委、国际信息显示学会（SID）北京分会委员会委员、国家纳米标准委员会委员、IEEE会员。作为课题负责人和项目负责人参与“十四五”国家重点研发计划、自然基金委重点项目等多项科研项目。开发世界首台 5 英寸全彩AM-QLED和 31 英寸全彩 AM-QLED 的样机，形成了一系列具有自主知识产权的核心器件制备技术。以第一作者/通讯作者身份在 Nature Photonics, Nature Communications等国内外学术期刊发表论文50余篇，已授权专利超过100项，其中国际和美国专利授权25项。
报告摘要：
量子点发光二极管（QLED）凭借其可调谐的发射波长、窄的光谱带宽、高亮度和溶液可加工性，已成为下一代显示技术的关键候选者。然而，实现高精度量子点图案化仍然是其工业化应用的关键瓶颈。传统喷墨打印技术受限于较低的分辨率（<5微米）并存在咖啡环效应，而传统光刻工艺在光刻胶处理过程中会损害量子点的性能。近年来，直接光刻技术通过简化传统光刻工艺流程，成为突破这些限制的创新方法。该方法将量子点与光敏分子相结合，能够高效制备具有大面积均匀性的超高分辨率图案，同时保持与半导体制造工艺的兼容性。尽管如此，现有的直接光刻技术通常需要严格的环境控制和精确的曝光参数。因此，开发一种与大规模半导体制造兼容且可在空气中进行的直接光刻方法具有至关重要的意义。
利用光点击化学反应条件温和、选择性高和反应动力学快速的优势，我们提出了一种基于紫外光触发的叠氮-炔环加成策略用于量子点图案化。与以往依赖惰性气氛的方法不同，我们的方法可在环境空气条件下使用标准365纳米紫外光照射，确保与半导体生产线无缝集成。该反应实现了量子点薄膜的高效交联，在保持其固有光电性质的同时，可获得亚微米分辨率的图案。值得注意的是，交联后的量子点层在QLED器件中实现了20.05%的外量子效率（EQE）纪录值。通过将点击化学的精确性与半导体级可制造性相结合，为高分辨率光电图案化建立通用平台，加速QLED及相关量子点技术的工业化应用。
欢迎大家踊跃参加！
材料与化学工程学院
2026年6月8日
